HGTD8P50G1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGTD8P50G1
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: G8P50G
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 66 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 16 nC
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros