Справочник IGBT. HGTD8P50G1

 

HGTD8P50G1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTD8P50G1
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G8P50G
   Тип управляющего канала: P
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 16 nC
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HGTD8P50G1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD8P50G1 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:152K  harris semi
 hgtd8p50.pdf pdf_icon

HGTD8P50G1

HGTD8P50G1,S E M I C O N D U C T O RHGTD8P50G1S8A, 500V P-Channel IGBTsMay 1996Features PackageJEDEC TO-251AA 8A, 500VEMITTER 3.7V VCE(SAT)COLLECTORGATE Typical Fall Time - 1800ns High Input Impedance(FLANGE) TJ = +150oCCOLLECTORDescriptionJEDEC TO-252AAThe HGTD8P50G1 and the HGTD8P50G1S are P-channelenhancement-mode insulated gate bipolar

Другие IGBT... HGTD6N50E1 , HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS , CRG40T60AK3HD , HGTD8P50G1S , HGTD8P50G1S9A , HGTG10N120BN , HGTG10N120BND , HGTG11N120CN , HGTG11N120CND , HGTG12N60A4 , HGTG12N60A4D .

 

 
Back to Top

 


 
.