HGTD8P50G1 - аналоги и описание IGBT

 

HGTD8P50G1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HGTD8P50G1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: P

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS

Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HGTD8P50G1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD8P50G1 даташит

 6.1. Size:152K  harris semi
 hgtd8p50.pdf pdf_icon

HGTD8P50G1

HGTD8P50G1, S E M I C O N D U C T O R HGTD8P50G1S 8A, 500V P-Channel IGBTs May 1996 Features Package JEDEC TO-251AA 8A, 500V EMITTER 3.7V VCE(SAT) COLLECTOR GATE Typical Fall Time - 1800ns High Input Impedance (FLANGE) TJ = +150oC COLLECTOR Description JEDEC TO-252AA The HGTD8P50G1 and the HGTD8P50G1S are P-channel enhancement-mode insulated gate bipolar

Другие IGBT... HGTD6N50E1 , HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS , CRG40T60AK3HD , HGTD8P50G1S , HGTD8P50G1S9A , HGTG10N120BN , HGTG10N120BND , HGTG11N120CN , HGTG11N120CND , HGTG12N60A4 , HGTG12N60A4D .

History: 2MBI600U4G-120

 

 

 

 

↑ Back to Top
.