MM30G120B Todos los transistores

 

MM30G120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MM30G120B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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MM30G120B Datasheet (PDF)

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MM30G120B

MM30G120B 1200V 30A IGBT January 2013 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low switching losses Low EMI Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery V with positive temperature coefficient CE(sat)APPLICATIONS High frequency switching application Medical applications 1.Gate Motion/servo c

Otros transistores... STGWT30V60DF , STGWT30V60F , RJP60F5DPK , IRGP4650D , IGW50N65F5A , IGW50N65H5A , IKW50N65F5A , IKW50N65H5A , CRG40T60AN3H , IRGP4750D , 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 .

History: TGAN40N120FDR | APT11GF120KRG | IXGH72N60A3

 

 
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