Справочник IGBT. MM30G120B

 

MM30G120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MM30G120B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MM30G120B

 

 

MM30G120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  macmic
 mm30g120b.pdf

MM30G120B MM30G120B

MM30G120B 1200V 30A IGBT January 2013 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low switching losses Low EMI Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery V with positive temperature coefficient CE(sat)APPLICATIONS High frequency switching application Medical applications 1.Gate Motion/servo c

Другие IGBT... STGWT30V60DF , STGWT30V60F , RJP60F5DPK , IRGP4650D , IGW50N65F5A , IGW50N65H5A , IKW50N65F5A , IKW50N65H5A , BT40T60ANF , IRGP4750D , 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 .

 

 
Back to Top