MM30G120B - аналоги и описание IGBT

 

MM30G120B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MM30G120B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MM30G120B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MM30G120B даташит

 ..1. Size:249K  macmic
 mm30g120b.pdf pdf_icon

MM30G120B

MM30G120B 1200V 30A IGBT January 2013 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low switching losses Low EMI Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery V with positive temperature coefficient CE(sat) APPLICATIONS High frequency switching application Medical applications 1.Gate Motion/servo c

Другие IGBT... STGWT30V60DF , STGWT30V60F , RJP60F5DPK , IRGP4650D , IGW50N65F5A , IGW50N65H5A , IKW50N65F5A , IKW50N65H5A , CRG60T60AN3H , IRGP4750D , 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.