IHW50N65R5 Todos los transistores

 

IHW50N65R5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IHW50N65R5
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: H50ER5
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 282 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 230 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IHW50N65R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2128K  infineon
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IHW50N65R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW50N65R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW50N65R5Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forwardvoltage TRENCHSTOPTM technology offers:- very tight parameter distributionG- high ru

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History: NGTG25N120FL2 | BSM100GB120DLCK | BLG60T65FDK-F | 2MBI400N-060-01

 

 
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