IHW50N65R5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IHW50N65R5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 282 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF
Encapsulados: TO247
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IHW50N65R5 datasheet
ihw50n65r5.pdf
Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IHW50N65R5 Data sheet Industrial Power Control IHW50N65R5 Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forward voltage TRENCHSTOPTM technology offers - very tight parameter distribution G - high ru
Otros transistores... IKW50N65H5A , MM30G120B , IRGP4750D , 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , RJP63F3DPP-M0 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F , STGP40V60F , STGW15M120DF3 , STGW40H60DLFB , STGW40H65DFB , STGW40H65FB , STGW40V60DF .
History: IRGSL4062D
History: IRGSL4062D
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