Справочник IGBT. IHW50N65R5

 

IHW50N65R5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW50N65R5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H50ER5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 282
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.35
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 55
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW50N65R5

 

 

IHW50N65R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2128K  infineon
 ihw50n65r5.pdf

IHW50N65R5 IHW50N65R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW50N65R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW50N65R5Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forwardvoltage TRENCHSTOPTM technology offers:- very tight parameter distributionG- high ru

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top