IHW50N65R5 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IHW50N65R5
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 282 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IHW50N65R5
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IHW50N65R5 даташит
ihw50n65r5.pdf
Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IHW50N65R5 Data sheet Industrial Power Control IHW50N65R5 Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forward voltage TRENCHSTOPTM technology offers - very tight parameter distribution G - high ru
Другие IGBT... IKW50N65H5A , MM30G120B , IRGP4750D , 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , RJP63F3DPP-M0 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F , STGP40V60F , STGW15M120DF3 , STGW40H60DLFB , STGW40H65DFB , STGW40H65FB , STGW40V60DF .
History: IXYX100N120C3 | APT50GT60BRDQ2G
History: IXYX100N120C3 | APT50GT60BRDQ2G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869