STGP40V60F Todos los transistores

 

STGP40V60F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGP40V60F
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 283 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGP40V60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  st
 stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60FDatasheetTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off33122 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 AD PAKTO-3PF Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance33221

 ..2. Size:1889K  st
 stgp40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off31 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A3D2PAK 21 Tight parameters distributionTAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal

Otros transistores... 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F , RJH30E2DPP , STGW15M120DF3 , STGW40H60DLFB , STGW40H65DFB , STGW40H65FB , STGW40V60DF , STGW40V60DLF , STGW40V60F , STGWA15M120DF3 .

History: MMG50HB120H6UN | SGM100HF12A1TFDT4 | OST40N120HEMF | HGTH12N40C1 | YGW25N120T1 | IRGI4086 | SGB10N60A

 

 
Back to Top

 


 
.