STGP40V60F Todos los transistores

 

STGP40V60F IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGP40V60F

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 283 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF

Encapsulados: TO220AB

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STGP40V60F datasheet

 ..1. Size:650K  st
stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60F Datasheet Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 1 2 2 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A D PAK TO-3PF Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low thermal resistance 3 3 2 2 1

 ..2. Size:1889K  st
stgp40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 Tail-less switching off 3 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A 3 D2PAK 2 1 Tight parameters distribution TAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal

Otros transistores... 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F , IKW75N60T , STGW15M120DF3 , STGW40H60DLFB , STGW40H65DFB , STGW40H65FB , STGW40V60DF , STGW40V60DLF , STGW40V60F , STGWA15M120DF3 .

History: HGT1S2N120CNS | IXGH28N30A | SL15T65FF

 

 

 


History: HGT1S2N120CNS | IXGH28N30A | SL15T65FF

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