Справочник IGBT. STGP40V60F

 

STGP40V60F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGP40V60F
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: GP40V60F
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 226 nC
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для STGP40V60F

 

 

STGP40V60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  st
 stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf

STGP40V60F STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60FDatasheetTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off33122 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 AD PAKTO-3PF Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance33221

 ..2. Size:1889K  st
 stgp40v60f.pdf

STGP40V60F STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off31 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A3D2PAK 21 Tight parameters distributionTAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal

Другие IGBT... 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F , IRGP4086 , STGW15M120DF3 , STGW40H60DLFB , STGW40H65DFB , STGW40H65FB , STGW40V60DF , STGW40V60DLF , STGW40V60F , STGWA15M120DF3 .

 

 
Back to Top