STGP40V60F - аналоги и описание IGBT

 

STGP40V60F - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGP40V60F

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF

Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для STGP40V60F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGP40V60F даташит

 ..1. Size:650K  st
 stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60F Datasheet Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 1 2 2 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A D PAK TO-3PF Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low thermal resistance 3 3 2 2 1

 ..2. Size:1889K  st
 stgp40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60F Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed Datasheet - production data Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C 1 1 1 Tail-less switching off 3 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A 3 D2PAK 2 1 Tight parameters distribution TAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal

Другие IGBT... 1MBI50U4F-120L-50 , KGF30N135NDH , IRGP4078D , NGTB15N120IH , NGTB15N120IHWG , IHW50N65R5 , IKW50N65WR5 , STGB40V60F , IKW75N60T , STGW15M120DF3 , STGW40H60DLFB , STGW40H65DFB , STGW40H65FB , STGW40V60DF , STGW40V60DLF , STGW40V60F , STGWA15M120DF3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.