Справочник IGBT. STGP40V60F

 

STGP40V60F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGP40V60F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для STGP40V60F

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGP40V60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  st
 stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60FDatasheetTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off33122 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 AD PAKTO-3PF Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance33221

 ..2. Size:1889K  st
 stgp40v60f.pdf pdf_icon

STGP40V60F

STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off31 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A3D2PAK 21 Tight parameters distributionTAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXYH60N90C3

 

 
Back to Top

 


 
.