KGF75N60KDB Todos los transistores

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KGF75N60KDB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KGF75N60KDB

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 357

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.55

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 100

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 50

Capacitancia de salida (Cc), pF: 250

Empaquetado / Estuche: TO247

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KGF75N60KDB Datasheet (PDF)

1.1. kgf75n60kdb.pdf Size:1556K _igbt_a

KGF75N60KDB
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SEMICONDUCTOR KGF75N60KDB TECHNICAL DATA General Description KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES ·High speed switching ·High ruggedness, temperature stable behavior ·Short Circuit Withstand T

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