Справочник IGBT. KGF75N60KDB

 

KGF75N60KDB Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGF75N60KDB
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

KGF75N60KDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1559K  kec
 kgf75n60kdb.pdf pdf_icon

KGF75N60KDB

SEMICONDUCTORKGF75N60KDBTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand T

 7.1. Size:327K  kec
 kgf75n65kdf.pdf pdf_icon

KGF75N60KDB

SEMICONDUCTORKGF75N65KDFTECHNICAL DATAGeneral DescriptionBKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy AOS Kefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as Power Factor Correction(PFC),Inverterized MWO, Welder, Uninterrupted Power Supplies(UPS) and GeneralDIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30Converters._B5.00 + 0

Другие IGBT... MMG75W120X6TN , MMG75W120XB6TN , IHW30N120R3 , IHW30N135R3 , IRG8P50N120KD , MMG100HB060H6EN , MMG50HB120H6UN , KGF40N120KDA , CRG40T60AN3H , NGTB15N135IHR , MMG50J120U , STGW60H65DF , STGW60H65DRF , NGTB40N60FL2 , NGTB40N60FL2WG , NGTB40N65FL2 , MMG75S060B6EN .

History: APT30GT60BRG | KGF40N60PA | SGM50HF12A1TFDT4 | OST75N65HSNF | NGTB30N120IHRWG | TA49115 | IXGN50N60BD3

 

 
Back to Top

 


 
.