KGF75N60KDB - аналоги и описание IGBT

 

KGF75N60KDB - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: KGF75N60KDB

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для KGF75N60KDB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGF75N60KDB даташит

 ..1. Size:1559K  kec
 kgf75n60kdb.pdf pdf_icon

KGF75N60KDB

SEMICONDUCTOR KGF75N60KDB TECHNICAL DATA General Description KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES High speed switching High ruggedness, temperature stable behavior Short Circuit Withstand T

 7.1. Size:327K  kec
 kgf75n65kdf.pdf pdf_icon

KGF75N60KDB

SEMICONDUCTOR KGF75N65KDF TECHNICAL DATA General Description B KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy A O S K efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as Power Factor Correction(PFC), Inverterized MWO, Welder, Uninterrupted Power Supplies(UPS) and General DIM MILLIMETERS _ + A 15.90 0.30 Converters. _ B 5.00 + 0

Другие IGBT... MMG75W120X6TN , MMG75W120XB6TN , IHW30N120R3 , IHW30N135R3 , IRG8P50N120KD , MMG100HB060H6EN , MMG50HB120H6UN , KGF40N120KDA , CRG40T60AN3H , NGTB15N135IHR , MMG50J120U , STGW60H65DF , STGW60H65DRF , NGTB40N60FL2 , NGTB40N60FL2WG , NGTB40N65FL2 , MMG75S060B6EN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.