KGF75N60KDB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: KGF75N60KDB

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 357

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 50

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 250

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 250

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для KGF75N60KDB

KGF75N60KDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1559K  kec
 kgf75n60kdb.pdf

SEMICONDUCTORKGF75N60KDBTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand T

 7.1. Size:327K  kec
 kgf75n65kdf.pdf

SEMICONDUCTORKGF75N65KDFTECHNICAL DATAGeneral DescriptionBKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy AOS Kefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as Power Factor Correction(PFC),Inverterized MWO, Welder, Uninterrupted Power Supplies(UPS) and GeneralDIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30Converters._B5.00 + 0

Другие IGBT... MMG75W120X6TN , MMG75W120XB6TN , IHW30N120R3 , IHW30N135R3 , IRG8P50N120KD , MMG100HB060H6EN , MMG50HB120H6UN , KGF40N120KDA , MBQ60T65PES , NGTB15N135IHR , MMG50J120U , STGW60H65DF , STGW60H65DRF , NGTB40N60FL2 , NGTB40N60FL2WG , NGTB40N65FL2 , MMG75S060B6EN .