HGTG20N120CN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGTG20N120CN  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS

Encapsulados: TO247

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HGTG20N120CN datasheet

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HGTG20N120CN

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E2 34A, 1200V N-Channel IGBT April 1995 Features Package JEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free Operation EMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTOR GATE High Input Impedance COLLECTOR Low Conduction Loss (BOTTOM SIDE METAL) Description The HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch- ing device combining the best

 4.2. Size:79K  harris semi
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HGTG20N120CN

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E2 34A, 1200V N-Channel IGBT April 1995 Features Package JEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free Operation EMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTOR GATE High Input Impedance COLLECTOR Low Conduction Loss (BOTTOM SIDE METAL) Description The HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch- ing device combining the best

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