Справочник IGBT. HGTG20N120CN

 

HGTG20N120CN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTG20N120CN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 63 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

HGTG20N120CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  1
 hgtg20n120cn.pdf pdf_icon

HGTG20N120CN

 0.1. Size:316K  1
 hgtg20n120cnd.pdf pdf_icon

HGTG20N120CN

 4.1. Size:79K  1
 hgtg20n120e2.pdf pdf_icon

HGTG20N120CN

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best

 4.2. Size:79K  harris semi
 hgtg20n120.pdf pdf_icon

HGTG20N120CN

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGTG11N120CND , HGTG12N60A4 , HGTG12N60A4D , HGTG12N60B3D , HGTG12N60C3D , HGTG12N60C3DR , HGTG18N120BN , HGTG18N120BND , CRG75T60AK3HD , HGTG20N120CND , HGTG20N120E2 , HGTG20N60A4 , HGTG20N60A4D , HGTG20N60B3 , HGTG20N60B3D , HGTG20N60C3 , HGTG20N60C3D .

History: AUIRGS4062D1 | IXGP12N100 | SGM50PA12A6BTFD

 

 
Back to Top

 


 
.