HGTG20N120CND - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTG20N120CND
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 20N120CND
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 390
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 63
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.9(typ)
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 17
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 155
Paquete / Cubierta: TO247
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HGTG20N120CND Datasheet (PDF)
hgtg20n120e2.pdf
S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best
hgtg20n120.pdf
S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best
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Liste
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