HGTG20N120CND Todos los transistores

 

HGTG20N120CND - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGTG20N120CND
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 63 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGTG20N120CND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  1
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HGTG20N120CND

 2.1. Size:308K  1
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HGTG20N120CND

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HGTG20N120CND

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best

 4.2. Size:79K  harris semi
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HGTG20N120CND

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E234A, 1200V N-Channel IGBTApril 1995Features PackageJEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free OperationEMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTORGATE High Input ImpedanceCOLLECTOR Low Conduction Loss(BOTTOM SIDEMETAL)DescriptionThe HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch-ing device combining the best

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History: SGM75HF12A1TFD | MMG50A120B7HN | IRG4PC30U | OST75N65HSXF | CPV364M4KPBF | OST80N65HMF | SSG55N60M

 

 
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