HGTG20N120CND - аналоги и описание IGBT

 

HGTG20N120CND - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HGTG20N120CND

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 63 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HGTG20N120CND

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTG20N120CND даташит

 ..1. Size:316K  1
 hgtg20n120cnd.pdf pdf_icon

HGTG20N120CND

 2.1. Size:308K  1
 hgtg20n120cn.pdf pdf_icon

HGTG20N120CND

 4.1. Size:79K  1
 hgtg20n120e2.pdf pdf_icon

HGTG20N120CND

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E2 34A, 1200V N-Channel IGBT April 1995 Features Package JEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free Operation EMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTOR GATE High Input Impedance COLLECTOR Low Conduction Loss (BOTTOM SIDE METAL) Description The HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch- ing device combining the best

 4.2. Size:79K  harris semi
 hgtg20n120.pdf pdf_icon

HGTG20N120CND

S E M I C O N D U C T O R HGTG20N120E2 34A, 1200V N-Channel IGBT April 1995 Features Package JEDEC STYLE TO-247 34A, 1200V Latch Free Operation EMITTER Typical Fall Time - 780ns COLLECTOR GATE High Input Impedance COLLECTOR Low Conduction Loss (BOTTOM SIDE METAL) Description The HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch- ing device combining the best

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGTG12N60A4 , HGTG12N60A4D , HGTG12N60B3D , HGTG12N60C3D , HGTG12N60C3DR , HGTG18N120BN , HGTG18N120BND , HGTG20N120CN , IRG4PC50W , HGTG20N120E2 , HGTG20N60A4 , HGTG20N60A4D , HGTG20N60B3 , HGTG20N60B3D , HGTG20N60C3 , HGTG20N60C3D , HGTG20N60C3DR .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.