RJH65S04DPQ-A0 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RJH65S04DPQ-A0
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 378 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Paquete / Cubierta: TO247A
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RJH65S04DPQ-A0 Datasheet (PDF)
rjh65s04dpq-a0.pdf
Preliminary DatasheetRJH65S04DPQ-A0 R07DS0849EJ0001650V - 50A - IGBT Rev.0.01Application: Inverter Jul 06, 2012Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 30
rjh65t14dpq-a0.pdf
Data Sheet RJH65T14DPQ-A0 650V - 50A - IGBT R07DS1256EJ0110Application: Induction Heating Rev.1.10 Microwave Oven Aug 31, 2018Features Optimized for current resonance application Low collector to emitter saturation voltage V = 1.45 V typ. (at I = 50 A, V = 15 V, Ta = 25 C) CE(sat) C GE Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin
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Liste
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