RJH65S04DPQ-A0 Todos los transistores

 

RJH65S04DPQ-A0 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJH65S04DPQ-A0

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 378 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF

Encapsulados: TO247A

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RJH65S04DPQ-A0 datasheet

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RJH65S04DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH65S04DPQ-A0 R07DS0849EJ0001 650V - 50A - IGBT Rev.0.01 Application Inverter Jul 06, 2012 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 30

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RJH65S04DPQ-A0

Data Sheet RJH65T14DPQ-A0 650V - 50A - IGBT R07DS1256EJ0110 Application Induction Heating Rev.1.10 Microwave Oven Aug 31, 2018 Features Optimized for current resonance application Low collector to emitter saturation voltage V = 1.45 V typ. (at I = 50 A, V = 15 V, Ta = 25 C) CE(sat) C GE Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin

Otros transistores... STGW80V60F , STGWA80H65DFB , STGWA80H65FB , STGWT80H65DFB , STGWT80H65FB , STGWT80V60DF , STGWT80V60F , 70MT060WSP , STGW60V60DF , 1MBI75U4F-120L-50 , IRG7PH50K10D , MMG50A120B6C , MM40G120L , MMG100J060U , MMG50J120UZ , MMG100S060B6EN , 50MT060ULSTAPBF .

 

 

 


 
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