RJH65S04DPQ-A0 - аналоги и описание IGBT

 

RJH65S04DPQ-A0 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH65S04DPQ-A0

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 378 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO247A

 Аналог (замена) для RJH65S04DPQ-A0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH65S04DPQ-A0 даташит

 ..1. Size:68K  renesas
 rjh65s04dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH65S04DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH65S04DPQ-A0 R07DS0849EJ0001 650V - 50A - IGBT Rev.0.01 Application Inverter Jul 06, 2012 Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 30

 9.1. Size:290K  renesas
 rjh65t14dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH65S04DPQ-A0

Data Sheet RJH65T14DPQ-A0 650V - 50A - IGBT R07DS1256EJ0110 Application Induction Heating Rev.1.10 Microwave Oven Aug 31, 2018 Features Optimized for current resonance application Low collector to emitter saturation voltage V = 1.45 V typ. (at I = 50 A, V = 15 V, Ta = 25 C) CE(sat) C GE Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin

Другие IGBT... STGW80V60F , STGWA80H65DFB , STGWA80H65FB , STGWT80H65DFB , STGWT80H65FB , STGWT80V60DF , STGWT80V60F , 70MT060WSP , STGW60V60DF , 1MBI75U4F-120L-50 , IRG7PH50K10D , MMG50A120B6C , MM40G120L , MMG100J060U , MMG50J120UZ , MMG100S060B6EN , 50MT060ULSTAPBF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.