Справочник IGBT. RJH65S04DPQ-A0

 

RJH65S04DPQ-A0 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH65S04DPQ-A0
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 378 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO247A

 Аналог (замена) для RJH65S04DPQ-A0

 

 

RJH65S04DPQ-A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  renesas
 rjh65s04dpq-a0.pdf

RJH65S04DPQ-A0 RJH65S04DPQ-A0

Preliminary DatasheetRJH65S04DPQ-A0 R07DS0849EJ0001650V - 50A - IGBT Rev.0.01Application: Inverter Jul 06, 2012Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at CC = 30

 9.1. Size:290K  renesas
 rjh65t14dpq-a0.pdf

RJH65S04DPQ-A0 RJH65S04DPQ-A0

Data Sheet RJH65T14DPQ-A0 650V - 50A - IGBT R07DS1256EJ0110Application: Induction Heating Rev.1.10 Microwave Oven Aug 31, 2018Features Optimized for current resonance application Low collector to emitter saturation voltage V = 1.45 V typ. (at I = 50 A, V = 15 V, Ta = 25 C) CE(sat) C GE Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top