1MBI75U4F-120L-50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBI75U4F-120L-50
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 1MBI75U4F-120L-50 IGBT
1MBI75U4F-120L-50 Datasheet (PDF)
1mbi75u4f-120l-50.pdf
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History: OM6517SA | KWRFF75R12SWM | APT40GP90JDQ2 | APTGT75X120TE3 | FGH40T65SQD | SKM600GA12T4 | DIM250PKM33-TS
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Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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