1MBI75U4F-120L-50 Todos los transistores

 

1MBI75U4F-120L-50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBI75U4F-120L-50
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MBI75U4F-120L-50 Datasheet (PDF)

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1MBI75U4F-120L-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI75U4F-120L-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 75A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter DB for Motor DriveAC and DC Servo Drive Amplifier (DB)Active PFCIndustrial machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings

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1MBI75U4F-120L-50

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History: IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1 | CT20VML-8

 

 
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