1MBI75U4F-120L-50 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: 1MBI75U4F-120L-50
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 1MBI75U4F-120L-50
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
1MBI75U4F-120L-50 даташит
1mbi75u4f-120l-50.pdf
http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI75U4F-120L-50 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1200V / 75A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter DB for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier (DB) Active PFC Industrial machines Maximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings
Другие IGBT... STGWA80H65DFB , STGWA80H65FB , STGWT80H65DFB , STGWT80H65FB , STGWT80V60DF , STGWT80V60F , 70MT060WSP , RJH65S04DPQ-A0 , FGL60N100BNTD , IRG7PH50K10D , MMG50A120B6C , MM40G120L , MMG100J060U , MMG50J120UZ , MMG100S060B6EN , 50MT060ULSTAPBF , VS-GB70LA60UF .
History: MMG50SR120UZA | MMG50SR120FZB
History: MMG50SR120UZA | MMG50SR120FZB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor