Справочник IGBT. 1MBI75U4F-120L-50

 

1MBI75U4F-120L-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI75U4F-120L-50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 1MBI75U4F-120L-50

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI75U4F-120L-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:261K  fuji
 1mbi75u4f-120l-50.pdf pdf_icon

1MBI75U4F-120L-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI75U4F-120L-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 75A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter DB for Motor DriveAC and DC Servo Drive Amplifier (DB)Active PFCIndustrial machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings

 8.1. Size:768K  fuji
 1mbi75l-060.pdf pdf_icon

1MBI75U4F-120L-50

Другие IGBT... STGWA80H65DFB , STGWA80H65FB , STGWT80H65DFB , STGWT80H65FB , STGWT80V60DF , STGWT80V60F , 70MT060WSP , RJH65S04DPQ-A0 , IXRH40N120 , IRG7PH50K10D , MMG50A120B6C , MM40G120L , MMG100J060U , MMG50J120UZ , MMG100S060B6EN , 50MT060ULSTAPBF , VS-GB70LA60UF .

History: CM200DU-24NFH | BT50T60ANFK

 

 
Back to Top

 


 
.