1MBI75U4F-120L-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 1MBI75U4F-120L-50
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 1MBI75U4F-120L-50
1MBI75U4F-120L-50 Datasheet (PDF)
1mbi75u4f-120l-50.pdf
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI75U4F-120L-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 75A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter DB for Motor DriveAC and DC Servo Drive Amplifier (DB)Active PFCIndustrial machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: BSM10GP60 | BSM150GB120DN2 | TGAN40N90FD | 2MBI300U2B-060 | SPT25N120F1A1T8TL
History: BSM10GP60 | BSM150GB120DN2 | TGAN40N90FD | 2MBI300U2B-060 | SPT25N120F1A1T8TL
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor