T0500NB25E Todos los transistores

 

T0500NB25E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T0500NB25E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1250 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 500 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2200 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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T0500NB25E Datasheet (PDF)

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T0500NB25E

Date:- 5 Sep, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0500NB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Otros transistores... MMG200D170B6EN , MMG200DR060B , MMG200DR060DE , MMG200DR060UA , MMG200DR060UK , MMG200DR060UZA , MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , STGW60V60DF , T0340VB45G , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , T0570VB25G , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN .

History: AOB5B65M1 | DIM800DCS12-A | BLG50T65FDLA-W | CM100DU-24F | MMG100J060U | NGTG25N120FL2WG

 

 
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