T0500NB25E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: T0500NB25E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2200 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам