Справочник IGBT. T0500NB25E

 

T0500NB25E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0500NB25E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2200 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T0500NB25E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0500NB25E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  ixys
 t0500nb25e.pdf pdf_icon

T0500NB25E

Date:- 5 Sep, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0500NB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... MMG200D170B6EN , MMG200DR060B , MMG200DR060DE , MMG200DR060UA , MMG200DR060UK , MMG200DR060UZA , MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , STGW60V60DF , T0340VB45G , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , T0570VB25G , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN .

 

 
Back to Top

 


 
.