T0500NB25E - аналоги и описание IGBT

 

T0500NB25E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0500NB25E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2200 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0500NB25E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0500NB25E даташит

 ..1. Size:277K  ixys
 t0500nb25e.pdf pdf_icon

T0500NB25E

Date - 5 Sep, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0500NB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... MMG200D170B6EN , MMG200DR060B , MMG200DR060DE , MMG200DR060UA , MMG200DR060UK , MMG200DR060UZA , MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , IRG4PC50UD , T0340VB45G , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , T0570VB25G , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN .

History: MMG100SR060UZA

 

 

 


 
↑ Back to Top
.