T0340VB45G Todos los transistores

 

T0340VB45G IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T0340VB45G

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2700 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2800 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 340 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3200 nS

Encapsulados: MODULE

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T0340VB45G datasheet

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T0340VB45G

Date - 6 August, 2012 Data Sheet Issue - 2 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0340VB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 34

Otros transistores... MMG200DR060B , MMG200DR060DE , MMG200DR060UA , MMG200DR060UK , MMG200DR060UZA , MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , T0500NB25E , TGPF30N43P , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , T0570VB25G , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN , MMG400K170U6EN .

History: T0570VB25G

 

 

 


 
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