T0340VB45G Todos los transistores

 

T0340VB45G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T0340VB45G
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2700 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2800 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 340 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.75 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3200 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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T0340VB45G Datasheet (PDF)

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T0340VB45G

Date:- 6 August, 2012 Data Sheet Issue:- 2 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0340VB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 34

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History: STGF20M65DF2

 

 
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