T0340VB45G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: T0340VB45G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2800 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 340 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3200 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6500 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам