T0340VB45G - аналоги и описание IGBT

 

T0340VB45G - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0340VB45G

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2700 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2800 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 340 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3200 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0340VB45G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0340VB45G даташит

 ..1. Size:493K  ixys
 t0340vb45g.pdf pdf_icon

T0340VB45G

Date - 6 August, 2012 Data Sheet Issue - 2 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0340VB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 34

Другие IGBT... MMG200DR060B , MMG200DR060DE , MMG200DR060UA , MMG200DR060UK , MMG200DR060UZA , MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , T0500NB25E , TGPF30N43P , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , T0570VB25G , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN , MMG400K170U6EN .

History: MMG200DR060UK | MMG100S120B6UN | T0570VB25G | MMG400K170U6EN

 

 

 


 
↑ Back to Top
.