Справочник IGBT. T0340VB45G

 

T0340VB45G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0340VB45G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2800 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 340 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3200 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T0340VB45G

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0340VB45G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  ixys
 t0340vb45g.pdf pdf_icon

T0340VB45G

Date:- 6 August, 2012 Data Sheet Issue:- 2 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0340VB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 34

Другие IGBT... MMG200DR060B , MMG200DR060DE , MMG200DR060UA , MMG200DR060UK , MMG200DR060UZA , MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , T0500NB25E , IHW40T60 , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , T0570VB25G , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN , MMG400K170U6EN .

History: IXGH30N60C3C1

 

 
Back to Top

 


 
.