Справочник IGBT. T0340VB45G

 

T0340VB45G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0340VB45G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2800 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 340 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.75 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 3200 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

T0340VB45G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  ixys
 t0340vb45g.pdf pdf_icon

T0340VB45G

Date:- 6 August, 2012 Data Sheet Issue:- 2 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0340VB45G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 34

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: DIM1600ECM17-A | IGP50N60T | IGP10N60T

 

 
Back to Top

 


 
.