T0570VB25G Todos los transistores

 

T0570VB25G IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T0570VB25G

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2960 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1250 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 570 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2500 nS

Encapsulados: MODULE

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T0570VB25G datasheet

 ..1. Size:432K  ixys
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T0570VB25G

Date - 18 Jan, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0570VB25G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Otros transistores... MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , T0500NB25E , T0340VB45G , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , RJH60F5DPQ-A0 , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN , MMG400K170U6EN , IRG7PSH54K10D , MMG100S060B6R , MMG75S170B6EN , MMG150HB060B6EN , MMG150S060B6R .

 

 

 


 
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