T0570VB25G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: T0570VB25G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2960 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 570 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2500 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 4000 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам