Справочник IGBT. T0570VB25G

 

T0570VB25G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0570VB25G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2960 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 570 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2500 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0570VB25G

 

 

T0570VB25G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  ixys
 t0570vb25g.pdf

T0570VB25G T0570VB25G

Date:- 18 Jan, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0570VB25G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , T0500NB25E , T0340VB45G , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , MBQ40T65FDSC , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN , MMG400K170U6EN , IRG7PSH54K10D , MMG100S060B6R , MMG75S170B6EN , MMG150HB060B6EN , MMG150S060B6R .

 

 
Back to Top