T0570VB25G - аналоги и описание IGBT

 

T0570VB25G - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0570VB25G

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2960 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 570 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2500 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0570VB25G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0570VB25G даташит

 ..1. Size:432K  ixys
 t0570vb25g.pdf pdf_icon

T0570VB25G

Date - 18 Jan, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0570VB25G Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... MMG200DR060UZK , MMG450WB060B6EN , T0500NB25E , T0340VB45G , MMG800K060U6EN , MMG600K120U6HN , MMG600K120U6TN , MMG600K170U6EN , RJH60F5DPQ-A0 , MMG600KR120U , MMG800K120U6HN , MMG400K170U6EN , IRG7PSH54K10D , MMG100S060B6R , MMG75S170B6EN , MMG150HB060B6EN , MMG150S060B6R .

History: MMG400K170U6EN | MMG100S120B6UN

 

 

 


 
↑ Back to Top
.