NSGM75GB120 Todos los transistores

 

NSGM75GB120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSGM75GB120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 600 pF

Encapsulados: MODULE

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NSGM75GB120 datasheet

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NSGM75GB120

SEMICONDUCTOR 40+0.5 3-M5.0 23+0.5 23+0.5 E2 C1 C2E1 80+0.5 93+0.5 2- 6.3 17+0.5 17+0.5 17+0.5 2.8x0.5 10 10 10 All dimensions in millimeters 4+0.6 12+0.5 35+0.6 17.8+0.6 G1 E1 E2 G2 4+0.6 7.7+0.2 6.7+0.6 31+0.6 22+0.3 SEMICONDUCTOR Fig.1 Power dissipation , Ptot=f (Tc) Fig.2 Safe operating area , IC=f (VCE) Parameter Tj

Otros transistores... IRG7PSH54K10D , MMG100S060B6R , MMG75S170B6EN , MMG150HB060B6EN , MMG150S060B6R , MMG100HB120H6HN , MMG100D120B6TN , MMG75S120B6UN , XNF15N60T , MMG100S120B6HN , MMG200S060B6EN , MMG100S170B6EN , AUIRGP65G40D0 , MMG100S120B6C , MMG100S120B6UN , MMG100SR060B , MMG100SR060DE .

History: MMG100SR060UZK

 

 

 


 
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