NSGM75GB120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSGM75GB120
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 600
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 75
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 125
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 350
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 600
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de NSGM75GB120 - IGBT
NSGM75GB120 Datasheet (PDF)
nsgm75gb120.pdf
SEMICONDUCTOR40+0.5 3-M5.023+0.5 23+0.5E2 C1C2E180+0.593+0.52- 6.317+0.5 17+0.5 17+0.52.8x0.510 10 10All dimensions in millimeters4+0.612+0.535+0.617.8+0.6G1 E1E2 G24+0.67.7+0.26.7+0.631+0.622+0.3SEMICONDUCTORFig.1 Power dissipation , Ptot=f (Tc) Fig.2 Safe operating area , IC=f (VCE) Parameter:Tj
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ