NSGM75GB120 Todos los transistores

 

NSGM75GB120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSGM75GB120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 600 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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NSGM75GB120 Datasheet (PDF)

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 nsgm75gb120.pdf pdf_icon

NSGM75GB120

SEMICONDUCTOR40+0.5 3-M5.023+0.5 23+0.5E2 C1C2E180+0.593+0.52- 6.317+0.5 17+0.5 17+0.52.8x0.510 10 10All dimensions in millimeters4+0.612+0.535+0.617.8+0.6G1 E1E2 G24+0.67.7+0.26.7+0.631+0.622+0.3SEMICONDUCTORFig.1 Power dissipation , Ptot=f (Tc) Fig.2 Safe operating area , IC=f (VCE) Parameter:Tj

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXGH60N60C3D1 | IKA15N65H5 | OST60N65HEMF

 

 
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