Справочник IGBT. NSGM75GB120

 

NSGM75GB120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NSGM75GB120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для NSGM75GB120

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NSGM75GB120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  nell
 nsgm75gb120.pdf pdf_icon

NSGM75GB120

SEMICONDUCTOR40+0.5 3-M5.023+0.5 23+0.5E2 C1C2E180+0.593+0.52- 6.317+0.5 17+0.5 17+0.52.8x0.510 10 10All dimensions in millimeters4+0.612+0.535+0.617.8+0.6G1 E1E2 G24+0.67.7+0.26.7+0.631+0.622+0.3SEMICONDUCTORFig.1 Power dissipation , Ptot=f (Tc) Fig.2 Safe operating area , IC=f (VCE) Parameter:Tj

Другие IGBT... IRG7PSH54K10D , MMG100S060B6R , MMG75S170B6EN , MMG150HB060B6EN , MMG150S060B6R , MMG100HB120H6HN , MMG100D120B6TN , MMG75S120B6UN , RGT50TS65D , MMG100S120B6HN , MMG200S060B6EN , MMG100S170B6EN , AUIRGP65G40D0 , MMG100S120B6C , MMG100S120B6UN , MMG100SR060B , MMG100SR060DE .

History: MMG400D060B6TC | IRG7PH35UD1-EP | 2MBI600VN-120-50

 

 
Back to Top

 


 
.