Справочник IGBT. NSGM75GB120

 

NSGM75GB120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NSGM75GB120
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 125
   Время нарастания типовое (tr), nS: 350
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 600
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для NSGM75GB120

 

 

NSGM75GB120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  nell
 nsgm75gb120.pdf

NSGM75GB120 NSGM75GB120

SEMICONDUCTOR40+0.5 3-M5.023+0.5 23+0.5E2 C1C2E180+0.593+0.52- 6.317+0.5 17+0.5 17+0.52.8x0.510 10 10All dimensions in millimeters4+0.612+0.535+0.617.8+0.6G1 E1E2 G24+0.67.7+0.26.7+0.631+0.622+0.3SEMICONDUCTORFig.1 Power dissipation , Ptot=f (Tc) Fig.2 Safe operating area , IC=f (VCE) Parameter:Tj

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top