NSGM75GB120 - аналоги и описание IGBT

 

NSGM75GB120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NSGM75GB120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 600 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для NSGM75GB120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NSGM75GB120 даташит

 ..1. Size:864K  nell
 nsgm75gb120.pdf pdf_icon

NSGM75GB120

SEMICONDUCTOR 40+0.5 3-M5.0 23+0.5 23+0.5 E2 C1 C2E1 80+0.5 93+0.5 2- 6.3 17+0.5 17+0.5 17+0.5 2.8x0.5 10 10 10 All dimensions in millimeters 4+0.6 12+0.5 35+0.6 17.8+0.6 G1 E1 E2 G2 4+0.6 7.7+0.2 6.7+0.6 31+0.6 22+0.3 SEMICONDUCTOR Fig.1 Power dissipation , Ptot=f (Tc) Fig.2 Safe operating area , IC=f (VCE) Parameter Tj

Другие IGBT... IRG7PSH54K10D , MMG100S060B6R , MMG75S170B6EN , MMG150HB060B6EN , MMG150S060B6R , MMG100HB120H6HN , MMG100D120B6TN , MMG75S120B6UN , XNF15N60T , MMG100S120B6HN , MMG200S060B6EN , MMG100S170B6EN , AUIRGP65G40D0 , MMG100S120B6C , MMG100S120B6UN , MMG100SR060B , MMG100SR060DE .

History: MMG600KR120U | IKD04N60RF | MMG75J120U

 

 

 


 
↑ Back to Top
.