IGW100N60H3 Todos los transistores

 

IGW100N60H3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGW100N60H3
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: G100H603
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 714 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 625 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IGW100N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2037K  infineon
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IGW100N60H3

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGW100N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIGW100N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off energy low V CEsat low EMI maximum jun

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History: MIAA10WE600TMH | LEGM200BA120L2H | TGAN40N90FD | 2MBI300U2B-060 | NCE07TD60B | SPT25N120F1A1T8TL | BSM150GB120DN2

 

 
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