IGW100N60H3 Todos los transistores

 

IGW100N60H3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGW100N60H3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 714 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IGW100N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2037K  infineon
 igw100n60h3.pdf pdf_icon

IGW100N60H3

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGW100N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIGW100N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off energy low V CEsat low EMI maximum jun

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History: IGC18T120T8L | IGC36T120T8L | IGC10T65QE | T1600GB45G | DF80R12W2H3_B11 | IGC10R60D | DIM1200ASM45-TS001

 

 
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