IGW100N60H3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IGW100N60H3
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: G100H603
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 714 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 625 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IGW100N60H3 - IGBT
IGW100N60H3 Datasheet (PDF)
igw100n60h3.pdf
IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGW100N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIGW100N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off energy low V CEsat low EMI maximum jun
Otros transistores... MMG400D120B6TN , MMG400D120UA6TN , MMG400KR120U , MMG450WB120B6TN , MMG400KR060U , 50MT060WHTAPBF , FF200R06KE3 , IKQ100N60TA , CRG15T120BNR3S , MMG200S060B6N , IRGPS46160D , IRGPS66160D , MMG150D120B6TN , MMG150Q120B6TN , NSGM100GB120 , APT75GN120B2G , APT75GN120LG .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2