Справочник IGBT. IGW100N60H3

 

IGW100N60H3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGW100N60H3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 714 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IGW100N60H3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGW100N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2037K  infineon
 igw100n60h3.pdf pdf_icon

IGW100N60H3

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGW100N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIGW100N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off energy low V CEsat low EMI maximum jun

Другие IGBT... MMG400D120B6TN , MMG400D120UA6TN , MMG400KR120U , MMG450WB120B6TN , MMG400KR060U , 50MT060WHTAPBF , FF200R06KE3 , IKQ100N60TA , CRG15T120BNR3S , MMG200S060B6N , IRGPS46160D , IRGPS66160D , MMG150D120B6TN , MMG150Q120B6TN , NSGM100GB120 , APT75GN120B2G , APT75GN120LG .

History: MG1275W-XBN2MM | DGW40N120CTH0 | APT40GP60B | IXSH30N60B2D1 | IXGH30N60C2 | MMG75S170B6EN | IXYX140N90C3

 

 
Back to Top

 


 
.