NSGM100GB120 Todos los transistores

 

NSGM100GB120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSGM100GB120

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 800 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800 pF

Encapsulados: MODULE

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NSGM100GB120 datasheet

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NSGM100GB120

RoHS NSGM100GB Series RoHS SEMICONDUCTOR IGBT Module (2 in one-package), 100A Features 1. High frequency operation 2. Low losses and soft switching 3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode 5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss 40+0.5 3-M5.0 Typical Applications 23+0.5 23+0.5 AC Motor Control DC Motor

 9.1. Size:1403K  nell
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NSGM100GB120

SEMICONDUCTOR 48.5 25 25 C2E1 E2 C1 3-M6 93+0.3 4- 6.5 108+0.5 14 14 14 2.8 4-0.5 All dimensions in millimeters 27 15 17.8 48+0.3 62.5+0.5 G1 E1 E2 G2 30.9 30.5 22.5 SEMICONDUCTOR RoHS RoHS SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR

Otros transistores... FF200R06KE3 , IKQ100N60TA , IGW100N60H3 , MMG200S060B6N , IRGPS46160D , IRGPS66160D , MMG150D120B6TN , MMG150Q120B6TN , CRG40T60AK3HD , APT75GN120B2G , APT75GN120LG , IKQ120N60TA , KM435A , MMG100DR120B , MMG300Q060B6R , SKM200GAH123DKL , FF150R17ME3G .

History: IXGC16N60C2 | MMIX1G320N60B3 | MKI75-12E8

 

 

 


 
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