NSGM100GB120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSGM100GB120
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1050 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
NSGM100GB120 Datasheet (PDF)
nsgm100gb120.pdf
RoHS NSGM100GB Series RoHS SEMICONDUCTORIGBT Module (2 in one-package), 100A Features1. High frequency operation2. Low losses and soft switching3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss40+0.5 3-M5.0 Typical Applications23+0.5 23+0.5AC Motor ControlDC Motor
nsgm150gb120b.pdf
SEMICONDUCTOR48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORRoHS RoHS SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR
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History: MPMB100B120RH
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Liste
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