NSGM100GB120 Todos los transistores

 

NSGM100GB120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSGM100GB120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 800 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 350 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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NSGM100GB120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  nell
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NSGM100GB120

RoHS NSGM100GB Series RoHS SEMICONDUCTORIGBT Module (2 in one-package), 100A Features1. High frequency operation2. Low losses and soft switching3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss40+0.5 3-M5.0 Typical Applications23+0.5 23+0.5AC Motor ControlDC Motor

 9.1. Size:1403K  nell
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NSGM100GB120

SEMICONDUCTOR48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORRoHS RoHS SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

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History: IXXH60N65B4H1 | MMG50S170B6EN | IXGH15N120BD1 | MMG200D120B6UN | HGTP12N60D1 | F3L300R12ME4-B23 | KM435B

 

 
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