NSGM100GB120 - аналоги и описание IGBT

 

NSGM100GB120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NSGM100GB120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для NSGM100GB120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NSGM100GB120 даташит

 ..1. Size:350K  nell
 nsgm100gb120.pdf pdf_icon

NSGM100GB120

RoHS NSGM100GB Series RoHS SEMICONDUCTOR IGBT Module (2 in one-package), 100A Features 1. High frequency operation 2. Low losses and soft switching 3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode 5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss 40+0.5 3-M5.0 Typical Applications 23+0.5 23+0.5 AC Motor Control DC Motor

 9.1. Size:1403K  nell
 nsgm150gb120b.pdf pdf_icon

NSGM100GB120

SEMICONDUCTOR 48.5 25 25 C2E1 E2 C1 3-M6 93+0.3 4- 6.5 108+0.5 14 14 14 2.8 4-0.5 All dimensions in millimeters 27 15 17.8 48+0.3 62.5+0.5 G1 E1 E2 G2 30.9 30.5 22.5 SEMICONDUCTOR RoHS RoHS SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR

Другие IGBT... FF200R06KE3 , IKQ100N60TA , IGW100N60H3 , MMG200S060B6N , IRGPS46160D , IRGPS66160D , MMG150D120B6TN , MMG150Q120B6TN , CRG40T60AK3HD , APT75GN120B2G , APT75GN120LG , IKQ120N60TA , KM435A , MMG100DR120B , MMG300Q060B6R , SKM200GAH123DKL , FF150R17ME3G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.