NSGM200GB120B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSGM200GB120B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1600 pF
Encapsulados: MODULE
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NSGM200GB120B datasheet
nsgm200gb120b.pdf
SEMICONDUCTOR 5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss 48.5 25 25 C2E1 E2 C1 3-M6 93+0.3 4- 6.5 108+0.5 14 14 14 2.8 4-0.5 All dimensions in millimeters 27 15 17.8 48+0.3 62.5+0.5 G1 E1 E2 G2 30.9 30.5 22.5 SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR
Otros transistores... IKQ120N60TA , KM435A , MMG100DR120B , MMG300Q060B6R , SKM200GAH123DKL , FF150R17ME3G , FF200R12KE3 , NSGM150GB120B , GT30F133 , KM435B , T0360NB25A , MMG300DR120B , KM435V , NSGM300GB120B , MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN .
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