Справочник IGBT. NSGM200GB120B

 

NSGM200GB120B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NSGM200GB120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1400
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 60
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 1600
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для NSGM200GB120B

 

 

NSGM200GB120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1383K  nell
 nsgm200gb120b.pdf

NSGM200GB120B NSGM200GB120B

SEMICONDUCTOR5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss48.525 25C2E1 E2 C13-M693+0.3 4- 6.5108+0.514 14 14 2.84-0.5All dimensions in millimeters271517.848+0.362.5+0.5G1 E1E2 G230.930.522.5SEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSEMICONDUCTOR

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top