T0360NB25A Todos los transistores

 

T0360NB25A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T0360NB25A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1800 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 360 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de T0360NB25A IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

T0360NB25A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  ixys
 t0360nb25a.pdf pdf_icon

T0360NB25A

Date:- 23 Aug, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0360NB25A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Otros transistores... MMG100DR120B , MMG300Q060B6R , SKM200GAH123DKL , FF150R17ME3G , FF200R12KE3 , NSGM150GB120B , NSGM200GB120B , KM435B , TGPF30N43P , MMG300DR120B , KM435V , NSGM300GB120B , MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF .

History: MMG300DR120B | GT60M324 | IRGS4045D | DG40X12T2

 

 
Back to Top

 


 
.