Справочник IGBT. T0360NB25A

 

T0360NB25A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0360NB25A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 360 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T0360NB25A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0360NB25A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  ixys
 t0360nb25a.pdf pdf_icon

T0360NB25A

Date:- 23 Aug, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0360NB25A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... MMG100DR120B , MMG300Q060B6R , SKM200GAH123DKL , FF150R17ME3G , FF200R12KE3 , NSGM150GB120B , NSGM200GB120B , KM435B , TGPF30N43P , MMG300DR120B , KM435V , NSGM300GB120B , MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF .

History: VS-GT50TP60N | IQG1B456N120B4 | SRE30N065FSSDF | MMG450WB120B6TN | MMG300WB170B

 

 
Back to Top

 


 
.