NSGM300GB120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSGM300GB120B
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 60 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de NSGM300GB120B - IGBT
NSGM300GB120B Datasheet (PDF)
nsgm300gb120b.pdf
RoHS NSGM300GB..B Series RoHS SEMICONDUCTORIGBT Module (2 in one-package), 300A Features1. High frequency operation2. Low losses and soft switching3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss Typical Applications48.5AC Motor Control25 25DC Motor ControlUPS
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Liste
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