Справочник IGBT. NSGM300GB120B

 

NSGM300GB120B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NSGM300GB120B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 60 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NSGM300GB120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  nell
 nsgm300gb120b.pdf pdf_icon

NSGM300GB120B

RoHS NSGM300GB..B Series RoHS SEMICONDUCTORIGBT Module (2 in one-package), 300A Features1. High frequency operation2. Low losses and soft switching3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss Typical Applications48.5AC Motor Control25 25DC Motor ControlUPS

Другие IGBT... FF150R17ME3G , FF200R12KE3 , NSGM150GB120B , NSGM200GB120B , KM435B , T0360NB25A , MMG300DR120B , KM435V , GT30G122 , MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF , IKD10N60RF , IKD15N60RF , IQAB50N60D1 .

History: 1MBI200L-120

 

 
Back to Top

 


 
.