NSGM300GB120B - аналоги и описание IGBT

 

NSGM300GB120B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NSGM300GB120B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для NSGM300GB120B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NSGM300GB120B даташит

 ..1. Size:978K  nell
 nsgm300gb120b.pdf pdf_icon

NSGM300GB120B

RoHS NSGM300GB..B Series RoHS SEMICONDUCTOR IGBT Module (2 in one-package), 300A Features 1. High frequency operation 2. Low losses and soft switching 3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode 5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss Typical Applications 48.5 AC Motor Control 25 25 DC Motor Control UPS

Другие IGBT... FF150R17ME3G , FF200R12KE3 , NSGM150GB120B , NSGM200GB120B , KM435B , T0360NB25A , MMG300DR120B , KM435V , IHW40T60 , MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF , IKD10N60RF , IKD15N60RF , IQAB50N60D1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.