IQAB50N60D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IQAB50N60D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 333 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 310 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IQAB50N60D1 - IGBT
IQAB50N60D1 Datasheet (PDF)
iqab50n60d1.pdf
IQAB50N60D1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode, in TO247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time 5us Designed for frequency converter and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Parallel switch
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Liste
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