Справочник IGBT. IQAB50N60D1

 

IQAB50N60D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQAB50N60D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 310 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IQAB50N60D1

 

 

IQAB50N60D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  iqxprz
 iqab50n60d1.pdf

IQAB50N60D1 IQAB50N60D1

IQAB50N60D1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode, in TO247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time 5us Designed for frequency converter and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Parallel switch

Другие IGBT... NSGM300GB120B , MMG400D120B6HN , MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF , IKD10N60RF , IKD15N60RF , MBQ40T65FDSC , IQAB75N60A1 , IQAB75N60D1 , IQG1B150N120B4 , IQG1B228N120B4 , IQG1B300N120B4 , IQG1B456N120B4 , IQG1B600N120B4 , IQGB150N120GA4 .

 

 
Back to Top