IQGB400N60I4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IQGB400N60I4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
Encapsulados: MODULE
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IQGB400N60I4 datasheet
iqgb400n60i4.pdf
IQGB400N60I4 PRELIMINARY DATASHEET IGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode, Half-Bridge Configuration in iQPak 2 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Very soft, fast recovery anti-parallel diode Low turn-off losses Pb-fre
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