IQGB400N60I4 Todos los transistores

 

IQGB400N60I4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IQGB400N60I4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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IQGB400N60I4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  iqxprz
 iqgb400n60i4.pdf pdf_icon

IQGB400N60I4

IQGB400N60I4PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft,fast recovery anti-parallel diode, Half-BridgeConfiguration in iQPak2 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Very soft, fast recovery anti-paralleldiode Low turn-off losses Pb-fre

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History: MG06400D-BN1MM

 

 
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