IQGB400N60I4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IQGB400N60I4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 4000 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
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IQGB400N60I4 Datasheet (PDF)
iqgb400n60i4.pdf
IQGB400N60I4PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft,fast recovery anti-parallel diode, Half-BridgeConfiguration in iQPak2 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Very soft, fast recovery anti-paralleldiode Low turn-off losses Pb-fre
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Liste
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