IQGB400N60I4 Todos los transistores

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IQGB400N60I4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IQGB400N60I4

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 400

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 124

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: MODULE

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IQGB400N60I4 Datasheet (PDF)

1.1. iqgb400n60i4.pdf Size:124K _igbt_a

IQGB400N60I4
IQGB400N60I4

IQGB400N60I4 PRELIMINARY DATASHEET IGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode, Half-Bridge Configuration in iQPak™2 Package  Very high switching speed  Very low V CE(sat)  Very tight parameter distribution  High ruggedness, temperature stability  Very soft, fast recovery anti-parallel diode  Low turn-off losses  Pb-fre

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