IQGB400N60I4 Todos los transistores

 

IQGB400N60I4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IQGB400N60I4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 124 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

IQGB400N60I4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  iqxprz
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IQGB400N60I4

IQGB400N60I4PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft,fast recovery anti-parallel diode, Half-BridgeConfiguration in iQPak2 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Very soft, fast recovery anti-paralleldiode Low turn-off losses Pb-fre

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXSH30N60A | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | IKB30N65EH5 | APTGF500U60D4 | XNF6N60T | MPBW20N65EF

 

 
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