IQGB400N60I4 Todos los transistores

 

IQGB400N60I4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IQGB400N60I4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 400
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 124
   Paquete / Cubierta: MODULE

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IQGB400N60I4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  iqxprz
iqgb400n60i4.pdf

IQGB400N60I4
IQGB400N60I4

IQGB400N60I4PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft,fast recovery anti-parallel diode, Half-BridgeConfiguration in iQPak2 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Very soft, fast recovery anti-paralleldiode Low turn-off losses Pb-fre

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
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