Справочник IGBT. IQGB400N60I4

 

IQGB400N60I4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQGB400N60I4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 124 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 4000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для IQGB400N60I4

 

 

IQGB400N60I4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  iqxprz
 iqgb400n60i4.pdf

IQGB400N60I4 IQGB400N60I4

IQGB400N60I4PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft,fast recovery anti-parallel diode, Half-BridgeConfiguration in iQPak2 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Very soft, fast recovery anti-paralleldiode Low turn-off losses Pb-fre

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top