IQS1B100N60L4 Todos los transistores

 

IQS1B100N60L4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IQS1B100N60L4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 335 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 384 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de IQS1B100N60L4 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IQS1B100N60L4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  iqxprz
 iqs1b100n60l4.pdf pdf_icon

IQS1B100N60L4

IQS1B100N60L4 PRELIMINARY DATASHEET 13-18Three Level Inverter Power Module T1D1Trench + Field Stop IGBT 20 19 Low voltage drop T2D2D5 Low tail current Very tight parameter distribution 2221 High ruggedness, temperature stability 9-12 23-28 Very soft, fast recovery anti-parallel diode T3D3D6 29 Pb-free finished; RoHS compliant 32

Otros transistores... IQGB300N120I4 , IQGB300N60I4 , IQGB400N60I4 , IQIB100N60A3 , IQIB100N60D3 , IQIB150N60B3 , IQIB75N60A3 , IQIB75N60D3 , BT60T60ANFK , IQS2B57N120K4 , IQS2B75N120K4 , IXYN100N120B3H1 , IXYN100N120C3 , IXYN100N120C3H1 , IXYN100N65A3 , IXYN100N65B3D1 , IXYN100N65C3H1 .

History: SKM195GAR063DN | IXGM40N60A | APT40GP60J | IRGS4620D | F4-75R12MS4 | OST20N135HRF

 

 
Back to Top

 


 
.