IQS1B100N60L4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IQS1B100N60L4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 335 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 384 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1000 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
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IQS1B100N60L4 Datasheet (PDF)
iqs1b100n60l4.pdf
IQS1B100N60L4 PRELIMINARY DATASHEET 13-18Three Level Inverter Power Module T1D1Trench + Field Stop IGBT 20 19 Low voltage drop T2D2D5 Low tail current Very tight parameter distribution 2221 High ruggedness, temperature stability 9-12 23-28 Very soft, fast recovery anti-parallel diode T3D3D6 29 Pb-free finished; RoHS compliant 32
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Liste
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