IQS1B100N60L4 Todos los transistores

IQS1B100N60L4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IQS1B100N60L4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 335 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 384 pF

Encapsulados: MODULE

- Selección ⓘ de transistores por parámetros