Справочник IGBT. IQS1B100N60L4

 

IQS1B100N60L4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQS1B100N60L4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 384 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для IQS1B100N60L4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQS1B100N60L4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  iqxprz
 iqs1b100n60l4.pdf pdf_icon

IQS1B100N60L4

IQS1B100N60L4 PRELIMINARY DATASHEET 13-18Three Level Inverter Power Module T1D1Trench + Field Stop IGBT 20 19 Low voltage drop T2D2D5 Low tail current Very tight parameter distribution 2221 High ruggedness, temperature stability 9-12 23-28 Very soft, fast recovery anti-parallel diode T3D3D6 29 Pb-free finished; RoHS compliant 32

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: STGB20NB41LZ | NGTB20N135IHR | IKFW40N60DH3E | NGTB03N60R2DT4G | IKD06N60RF | IXGA20N100A3 | IGC142T120T8RL

 

 
Back to Top

 


 
.