Справочник IGBT. IQS1B100N60L4

 

IQS1B100N60L4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQS1B100N60L4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 384 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для IQS1B100N60L4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQS1B100N60L4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  iqxprz
 iqs1b100n60l4.pdf pdf_icon

IQS1B100N60L4

IQS1B100N60L4 PRELIMINARY DATASHEET 13-18Three Level Inverter Power Module T1D1Trench + Field Stop IGBT 20 19 Low voltage drop T2D2D5 Low tail current Very tight parameter distribution 2221 High ruggedness, temperature stability 9-12 23-28 Very soft, fast recovery anti-parallel diode T3D3D6 29 Pb-free finished; RoHS compliant 32

Другие IGBT... IQGB300N120I4 , IQGB300N60I4 , IQGB400N60I4 , IQIB100N60A3 , IQIB100N60D3 , IQIB150N60B3 , IQIB75N60A3 , IQIB75N60D3 , BT60T60ANFK , IQS2B57N120K4 , IQS2B75N120K4 , IXYN100N120B3H1 , IXYN100N120C3 , IXYN100N120C3H1 , IXYN100N65A3 , IXYN100N65B3D1 , IXYN100N65C3H1 .

History: MMG450WB170B6EN | SKM300GAL063D

 

 
Back to Top

 


 
.