IXYN75N65C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYN75N65C3D1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 330 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 122 nC
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de IXYN75N65C3D1 - IGBT
IXYN75N65C3D1 Datasheet (PDF)
ixyn75n65c3d1.pdf
Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYN75N65C3D1IC110 = 75AGenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25
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Liste
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