IXYN75N65C3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYN75N65C3D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 330 pF
Encapsulados: SOT227
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IXYN75N65C3D1 datasheet
ixyn75n65c3d1.pdf
Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYN75N65C3D1 IC110 = 75A GenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60ns Extreme Light Punch through IGBT for 20-60kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25
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