IXBF50N360 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBF50N360
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 420 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 195 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 210 nC
Paquete / Cubierta: I4PAK
Búsqueda de reemplazo de IXBF50N360 - IGBT
IXBF50N360 Datasheet (PDF)
ixbf50n360.pdf
Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBF50N360Bipolar MOS TransistorIC110 = 28AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh Frequency(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 V12VGES Continuous 20 VIsolated Ta
ixbf55n300.pdf
High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF55N300BIMOSFETTMIC110 = 34AVCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 V12VGEM Transient 35 VIsolated Tab5IC25 TC
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Liste
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