IXBF50N360 Todos los transistores

 

IXBF50N360 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBF50N360
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 420 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 195 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 210 nC
   Paquete / Cubierta: I4PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de IXBF50N360 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXBF50N360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ixys
 ixbf50n360.pdf pdf_icon

IXBF50N360

Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBF50N360Bipolar MOS TransistorIC110 = 28AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh Frequency(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 V12VGES Continuous 20 VIsolated Ta

 9.1. Size:208K  ixys
 ixbf55n300.pdf pdf_icon

IXBF50N360

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF55N300BIMOSFETTMIC110 = 34AVCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 V12VGEM Transient 35 VIsolated Tab5IC25 TC

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGF50DH60T

 

 
Back to Top

 


History: APTGF50DH60T

IXBF50N360   IXBF50N360   IXBF50N360  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227

 


 
.