IXBF50N360 - аналоги и описание IGBT

 

IXBF50N360 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBF50N360

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 420 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF

Тип корпуса: I4PAK

 Аналог (замена) для IXBF50N360

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF50N360 даташит

 ..1. Size:209K  ixys
 ixbf50n360.pdf pdf_icon

IXBF50N360

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 3600V IXBF50N360 Bipolar MOS Transistor IC110 = 28A High Voltage, VCE(sat) 2.9V High Frequency (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V 1 2 VGES Continuous 20 V Isolated Ta

 9.1. Size:208K  ixys
 ixbf55n300.pdf pdf_icon

IXBF50N360

High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBF55N300 BIMOSFETTM IC110 = 34A VCE(sat) 3.2V Monolithic Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V 1 2 VGEM Transient 35 V Isolated Tab 5 IC25 TC

Другие IGBT... IXYN80N90C3H1 , IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , RJP30H1DPD , IXBH10N300 , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IXBA10N300HV , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV , IXBA16N170AHV , IXBH20N140 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.