Справочник IGBT. IXBF50N360

 

IXBF50N360 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBF50N360
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 420 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 210 nC
   Тип корпуса: I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXBF50N360

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF50N360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ixys
 ixbf50n360.pdf pdf_icon

IXBF50N360

Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBF50N360Bipolar MOS TransistorIC110 = 28AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh Frequency(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 V12VGES Continuous 20 VIsolated Ta

 9.1. Size:208K  ixys
 ixbf55n300.pdf pdf_icon

IXBF50N360

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF55N300BIMOSFETTMIC110 = 34AVCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 V12VGEM Transient 35 VIsolated Tab5IC25 TC

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: NCE40TD65BT

 

 
Back to Top

 


 
.