IXBF50N360 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXBF50N360
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 420 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 210 nC
Тип корпуса: I4PAK
Аналог (замена) для IXBF50N360
IXBF50N360 Datasheet (PDF)
ixbf50n360.pdf
Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBF50N360Bipolar MOS TransistorIC110 = 28AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh Frequency(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 V12VGES Continuous 20 VIsolated Ta
ixbf55n300.pdf
High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF55N300BIMOSFETTMIC110 = 34AVCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 V12VGEM Transient 35 VIsolated Tab5IC25 TC
Другие IGBT... IXYN80N90C3H1 , IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , RJP63F3DPP-M0 , IXBH10N300 , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IXBA10N300HV , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV , IXBA16N170AHV , IXBH20N140 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2