IXBH10N300 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBH10N300
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 385 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 40 pF
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXBH10N300 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
IXBH10N300 datasheet
ixbh10n300.pdf
Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH10N300 BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 10A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G C Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V E VGES Continuous 20 V G = Gate C = Collector VGEM Transient 30
ixbh10n300hv.pdf
Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBA10N300HV BIMOSFETTM Monolithic IXBH10N300HV IC110 = 10A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.8V TO-263HV (IXBA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V TO-247HV (IXBH) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 20 V
ixbh10n170.pdf
VCES = 1700 V High Voltage, High Gain IXBH 10N170 BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 20 A IXBT 10N170 Bipolar MOS Transistor VCE(sat) = 3.8 V Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C20 A TO-247 AD (IX
ixbh10n170 ixbt10n170.pdf
VCES = 1700 V High Voltage, High Gain IXBH 10N170 BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 20 A IXBT 10N170 Bipolar MOS Transistor VCE(sat) = 3.8 V Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C20 A TO-247 AD (IX
Otros transistores... IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , IXBF50N360 , BT40T60ANF , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IXBA10N300HV , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV , IXBA16N170AHV , IXBH20N140 , IXBH20N160 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110