IXBH10N300 - аналоги и описание IGBT

 

IXBH10N300 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBH10N300

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 385 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXBH10N300

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH10N300 даташит

 ..1. Size:157K  ixys
 ixbh10n300.pdf pdf_icon

IXBH10N300

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH10N300 BIMOSFETTM Monolithic IC110 = 10A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G C Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V E VGES Continuous 20 V G = Gate C = Collector VGEM Transient 30

 0.1. Size:271K  ixys
 ixbh10n300hv.pdf pdf_icon

IXBH10N300

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBA10N300HV BIMOSFETTM Monolithic IXBH10N300HV IC110 = 10A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 2.8V TO-263HV (IXBA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V TO-247HV (IXBH) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 20 V

 7.1. Size:486K  ixys
 ixbh10n170.pdf pdf_icon

IXBH10N300

VCES = 1700 V High Voltage, High Gain IXBH 10N170 BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 20 A IXBT 10N170 Bipolar MOS Transistor VCE(sat) = 3.8 V Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C20 A TO-247 AD (IX

 7.2. Size:596K  ixys
 ixbh10n170 ixbt10n170.pdf pdf_icon

IXBH10N300

VCES = 1700 V High Voltage, High Gain IXBH 10N170 BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 20 A IXBT 10N170 Bipolar MOS Transistor VCE(sat) = 3.8 V Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C20 A TO-247 AD (IX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , IXBF50N360 , BT40T60ANF , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IXBA10N300HV , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV , IXBA16N170AHV , IXBH20N140 , IXBH20N160 .

History: IXBH10N300HV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.