Справочник IGBT. IXBH10N300

 

IXBH10N300 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBH10N300
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 385 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 45 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXBH10N300

 

 

IXBH10N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  ixys
 ixbh10n300.pdf

IXBH10N300 IXBH10N300

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBH10N300BIMOSFETTM MonolithicIC110 = 10ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VGC TabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VEVGES Continuous 20 VG = Gate C = CollectorVGEM Transient 30

 0.1. Size:271K  ixys
 ixbh10n300hv.pdf

IXBH10N300 IXBH10N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBA10N300HVBIMOSFETTM MonolithicIXBH10N300HVIC110 = 10ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 2.8VTO-263HV (IXBA)GESymbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab)VCES TC = 25C to 150C 3000 VTO-247HV (IXBH)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V

 7.1. Size:486K  ixys
 ixbh10n170.pdf

IXBH10N300 IXBH10N300

VCES = 1700 VHigh Voltage, High GainIXBH 10N170BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 20 AIXBT 10N170Bipolar MOS TransistorVCE(sat) = 3.8 VPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VE(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C20 ATO-247 AD (IX

 7.2. Size:596K  ixys
 ixbh10n170 ixbt10n170.pdf

IXBH10N300 IXBH10N300

VCES = 1700 VHigh Voltage, High GainIXBH 10N170BIMOSFETTM Monolithic IC25 = 20 AIXBT 10N170Bipolar MOS TransistorVCE(sat) = 3.8 VPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXBT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VE(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C20 ATO-247 AD (IX

Другие IGBT... IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 , IXBF50N360 , IHW20N120R3 , IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IXBA10N300HV , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV , IXBA16N170AHV , IXBH20N140 , IXBH20N160 .

 

 
Back to Top