IXBJ40N160 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBJ40N160
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 6.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
Encapsulados: TO268
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IXBJ40N160 datasheet
ixbj40n160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 A MOS Transistor VCE(sat) = 7.1 V tfi = 40 ns N-Channel, Enhancement Mode C G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings 40N140 40N160 TO-268 VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 1600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1400 1600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30
ixbj40n140-160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 A MOS Transistor VCE(sat) = 7.1 V tfi = 40 ns N-Channel, Enhancement Mode C G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings 40N140 40N160 TO-268 VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 1600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1400 1600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30
ixbj40n140.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 A MOS Transistor VCE(sat) = 7.1 V tfi = 40 ns N-Channel, Enhancement Mode C G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings 40N140 40N160 TO-268 VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 1600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1400 1600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30
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