IXBJ40N160 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXBJ40N160
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXBJ40N160
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXBJ40N160 даташит
ixbj40n160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 A MOS Transistor VCE(sat) = 7.1 V tfi = 40 ns N-Channel, Enhancement Mode C G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings 40N140 40N160 TO-268 VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 1600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1400 1600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30
ixbj40n140-160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 A MOS Transistor VCE(sat) = 7.1 V tfi = 40 ns N-Channel, Enhancement Mode C G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings 40N140 40N160 TO-268 VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 1600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1400 1600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30
ixbj40n140.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 A MOS Transistor VCE(sat) = 7.1 V tfi = 40 ns N-Channel, Enhancement Mode C G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings 40N140 40N160 TO-268 VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 1600 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1400 1600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30
Другие IGBT... IXBH20N140 , IXBH20N160 , IXBH20N360HV , IXBH22N300HV , IXBH40N140 , IXBH42N250 , IXBH42N300HV , IXBJ40N140 , SGT40N60FD2PN , IXBL20N300C , IXBL60N360 , IXBT12N300HV , IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV .
History: IRG4PSC71UD | IXBL20N300C
History: IRG4PSC71UD | IXBL20N300C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06



