IXBJ40N160 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXBJ40N160 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXBJ40N160
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 130 nC
   Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXBJ40N160

IXBJ40N160 Datasheet (PDF)

..1. Size:60K ixys
ixbj40n160.pdf

High Voltage BIMOSFETTM IXBJ 40N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBJ 40N160 IC25 = 33 AMOS Transistor VCE(sat) = 7.1 Vtfi = 40 nsN-Channel, Enhancement ModeCGESymbol Test Conditions Maximum Ratings40N140 40N160 TO-268VCES TJ = 25C to 150C 1400 1600 VGCVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1400 1600 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30

6.1. Size:62K ixys
ixbj40n140-160.pdf