IXBL20N300C Todos los transistores

 

IXBL20N300C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBL20N300C
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 417 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 425 nC
   Paquete / Cubierta: I5PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBL20N300C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
ixbl20n300c.pdf pdf_icon

IXBL20N300C

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3000VIXBL20N300CHigh Frequency,IC110 = 20ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 6.0VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V EC Isolated TabVGES Continuous

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
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